micron technology, inc. (美光科技股份有限公司,纳斯达克: mu) 今日宣布采用行业领先的 1z 纳米制程的 ddr5 寄存型 dimm (rdimm) 已开始出样。ddr5 是迄今为止技术上最为先进的 dram,其内存性能提升至少 85%,从而应对下一代服务器负载。如今数据中心的系统架构正在提供日益增多的处理器核心数、以及更大的内存带宽与容量,而 ddr5 使内存密度翻倍,并同时提升可靠性。
“几乎所有应用环境的数据都在激增,数据中心从负载的工作中挖掘价值的挑战越来越大,” 美光科技计算和网络产品事业部高级副总裁兼总经理 tom eby 表示,“更高性能、更高密度和更优质的内存是应对这些负载的关键所在。美光出样 ddr5 rdimm 是一项重大进展,帮助业界进一步提升了下一代以数据为核心的应用价值。”
快速增多的数据集和计算密集型应用环境产生了更高要求的工作负载,进而带来处理器核心数的增长,但目前的 dram 技术无法满足带宽需求。相较于 ddr4,ddr5 性能提升逾 1.85 倍。ddr5 还实现了现代数据中心所需要的可靠性、可用性和可服务性 (ras)。
作为内存技术的全球领导品牌,美光在设计、制造、交付及向全球合作伙伴和客户提供支持方面拥有40多年的专业积淀。美光的 ddr5 sdram 产品组合采用了比以往更高的标准。
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美光科技是创新内存和存储解决方案的业界领导厂商。凭借旗下全球性品牌 micron®(美光)和crucial®(英睿达),美光丰富的高性能内存和存储技术组合——包括 dram、nand、3d xpoint™及nor,通过改变世界使用信息的方式来丰富生活。凭借逾40年的技术领军地位,美光的内存及存储解决方案帮助移动端、数据中心、客户端、消费端、工业、图形、汽车、网络等重要市场实现了颠覆性发展趋势,包括人工智能、5g、机器学习和自动驾驶。
来源:21dianyuan