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光催化原理 光催化净化是基于光催化剂在紫外线照射下具有的氧化还原能力而净化污染物。
原理介绍
光催化原理
半导体大多是n型半导体材料（当前以为tio2使用最广泛）都具有区别于金属或绝缘体质的特别的能带结构,即在价带(valenceband,vb)和导带(conductionband,cb)之间存在一个近带(forbiddenband,bandgap)。由于半导体的光吸收阈值与带隙具有式k=1240/eg(ev)的关系,因此常用的宽带隙半导体的吸收波长阈值大都在紫外区域。当光子ne高于半导体吸收阈值的光照射半导体时,半导体的能量发生带间跃迁,即从价带跃迁到导带,从而产生光生电子(e-)和空穴h+)。此时吸附在纳米颗粒表面的溶解氧俘获电子形成超氧负离子,而空穴将吸附在催化剂表面的氢氧根离子和水氧化成氢氧自由基。而超氧负离子和氢氧自由基具有很强的氧化性,能将绝大多数的有机物氧化至最终产物co2和h2o,甚至对一些无机物也能彻底分解。
光催化应用
光催化净化是基于光催化剂在紫外线照射下具有的氧化还原能力而净化污染物。利用光催化净化技术去除空气中的有机污染物具有以下特点：
1直接用空气中的氧气做氧化剂，反应条件温和（常温 常压）
2可以将有机污染物分解为二氧化碳和水等无机小分子，净化效果彻底。
3半导体光催化剂化学性质稳定，氧化还原性强，成本低，不存在吸附饱和现象，使用寿命长。
光催化净化技术具有室温深度氧，二次污染小，运行成本低和可望利用太阳光为反应光源等优点，所以光催化特别合适室内挥发有机物的净化，在深度净化方面显示出了巨大的应用潜力。
常见的光催化剂多为金属氧化物和硫化物，如tio2, zno,cds,wo3等，其中tio2的综合性能zui好，应用最广。自1972年fujishima和honda发现在受辐照的tio2上可以持续发生水的氧化还原反应，并产生h2以来，人们对这一催化反应过程进行了大量研究。结果表明，tio2具有良好的抗光腐蚀性和催化活性，而且性能稳定，价廉易得，无毒无害，是目前公认的zui佳光催化剂。该项技术不仅在废水净化处理方面具有巨大潜力，在空气净化方面同样具有广阔的应用前景。

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